මෙම 512GB DDR5 memory module එක High-K Metal Gate process තාක්ෂණය භාවිතා කරමින් නිර්මාණය කර ඇති අතර, chip නිෂ්පාදනයේදී ඒවායේ ප්‍රමාණය හැකි තරම් කුඩා කර ගැනීම සඳහා මේ HKMG තාක්ෂණය භාවිතා කරනු ලබනවා.
මේවායේ ප්‍රමාණය කුඩා වන තරමට අදාල උපාංග ද ප්‍රමාණයෙන් කුඩා කළ හැකි අතර, ඒ සඳහා අවශ්‍යය වන බලශක්ති ප්‍රමාණය ද සැළකිය යුතු ලෙස අවම වෙනවා. මෙම RAM එකේ power usage එක 13%කින් පමණ අඩු කරගැනීමට හැකිවී ඇති බව ඔවුන් සටහන් කරනවා.
මේ අලුත් memory module එක විශේෂයෙන්ම නිර්මාණය කර තිබෙන්නේ supercomputers ඉලක්ක කරගෙන වන අතර, මෙය Artificial Intelligence, Machine Learning සහ data analytics applications වැනි compute-hungry, high-bandwidth workloads සඳහා විශේෂයෙන් සුදුසු වන බව Samsung සමාගම පෙන්වා දෙනවා.
පැරණි DDR4 RAM වල speed එක මෙන් දෙගුණයක්, එනම් 7,200Mbps පමණ speed එකක් මේ අලුත් RAM Module එකට ලබාගත හැකි අතර, DDR5 16GB RAM chips අන්තර්ගත වන layers 8කින් මෙම දැවැන්ත 512GB Memory Module එක සමන්විත වන බව Samsung සමාගම වැඩිදුරටත් සඳහන් කරනවා.
Content Writer : Kasun Jayarathna
